IT之家 7 月 16 日訊息,據 Sammobile 報道,三星副總裁 Younggwan Ko 最近在韓國水原舉行的一次研討會上表示,隨著儲存半導體變得更強大,封裝技術必須與儲存半導體一起發展。
將 MSAP 工藝應用於其 DDR6 記憶體晶片
將允許三星製造具有更精細電路的晶片。
另據 The Elec 報告稱,三星的競爭對手已經將 MSAP 封裝技術用於 DDR5 記憶體,
而三星正在努力將這種封裝技術用於 DDR6
。
傳統的封裝方法只把要形成電路圖案的區域進行塗覆,而將其他區域蝕刻掉。
但在 MSAP 封裝中,除了電路之外的區域都經過塗層處理,而空白區域則進行了電鍍,從而可以實現更精細的電路。
IT之家瞭解到,三星於本週早些時候推出了其首款用於顯示卡的 24Gbps GDDR6 DRAM 晶片,報道稱,該公司處於 DDR6 開發的早期階段,根據去年的一份報告,
其 DDR6 設計可能會在 2024 年完成
。
預計 DDR6 的速度是 DDR5 的兩倍,記憶體通道數也是 DDR5 的兩倍。DDR6(JEDEC)可以實現大約
12800Mbps
的傳輸速率,或支援超頻到
17000Mbps
。
目前,三星最快的 DDR5 DIMM 具有高達 7200 Mbps 的傳輸速度,因此 DDR6 將提高 0。7 倍,超頻下將提高 1。36 倍。