《炬豐科技-半導體工藝》晶圓清洗機制

書籍:《炬豐科技-半導體工藝》

文章:晶圓清洗機制

編號:JFKJ-21-336

作者:炬豐科技

摘要

提供了與清洗晶片的機構相關的實施例,提供了一種清洗晶片的方法,其具有溼式臺架清洗操作,該方法還提供其後的單個晶片清洗,以及用於提高該方法的效能的清洗裝置。

《炬豐科技-半導體工藝》晶圓清洗機制

發明描述

技術領域

本發明涉及用於晶片清潔的機構。

半導體積體電路 (IC) 行業經歷了快速增長。IC 材料和設計的技術進步催生了一代 IC,每個 IC 的電路都比上一代 IC 更小、更復雜。但是,這些技術進步增加了加工和製造的複雜性,而要實現這些進步,需要在 IC 加工和製造方面進行類似的發展。在 IC 演進過程中,功能密度(即每芯片面積的互連器件數量)已普遍增加和幾何尺寸(即,可以使用製造工藝生產的最小部件(或線))一直在減小。這種按比例縮小的工藝通常受益於提高生產效率和降低相關成本。提供它們。

需要解決的問題

半導體制造中的一個重要條件是晶圓加工表面沒有汙染物,因為汙染物,例如細顆粒,會干擾後續加工步驟並對它們產生不利影響並導致器件退化,最終導致半導體晶圓處理。清洗工藝一直是半導體晶圓製造過程中的重要步驟,但超潔淨晶圓對於器件完整性的重要性越來越高,例如,隨著半導體特徵尺寸的減小,顆粒汙染的不利影響是隨著它的增加,去除更小的顆粒變得必要。此外,隨著器件層數的增加,顆粒汙染導致器件退化的可能性和清潔步驟的數量也相應增加。ULSI和VLSI足以滿足超清潔晶圓的要求在,晶片表面需要基本上沒有汙染物。

發明詳述

下面 對本發明實施例的實施和使用進行了詳細描述,但是,本發明實施例是在廣泛的特定環境中描述的,在特定環境中描述的具體實施例僅用於說明本發明,並限制了本發明的範圍目前的披露。

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