三安在湖南建造世界最昂貴的碳化矽製造基地,外媒質疑其能否成功

一直以來中國將大量資金投入半導體領域。這導致進入晶片供應鏈的各路人馬被加速進入,但事情並不都那麼漂亮。武漢宏信半導體制造(HSMC)是最公開的失敗案例。資金被籌集,但揮霍一空,業務從未開始。一個耗資200億美元的專案導致大部分空蕩蕩的潔淨室和無薪員工和承包商蹤跡全無。債權人和投資者都被坑了,這家公司最終也倒閉了。

三安在湖南建造世界最昂貴的碳化矽製造基地,外媒質疑其能否成功

湖南三安半導體晶圓廠

中國有希望超越競爭者的一個領域是複合半導體。具體來說,是用於電源和RF應用中的碳化矽和氮化鎵。因此,大量資金正被注入這一領域。HDSC、GZSC和Tankeblue(北京天科合達半導體股份有限公司)各自投資超過1億美元建設SiC晶圓設施。

最大的專案是湖南三安半導體晶圓廠。它的目標是成為一個完全整合的SiC晶圓廠,從外延生長和切片一路到動力裝置,封裝和測試。該設施在第一階段和第二階段的造價高達25億美元,每月總產量為30,000片6英寸的晶圓。母公司三安光電錶示,第一階段在不到一年的時間內建成,已經可以生產6‘’SiC晶圓。

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電源SiC的市場收入分佈

“這是我們工廠的第一階段,每月15,000晶圓,我們已經帶來了一半的滿容量生產能力。。。在第二階段,我們將構建第一階段的映象。我們有一個積極的計劃,使工廠全面運作-這意味著裝備到2024年每月交付30,000片6寸晶圓”——-三安IC技術營銷和銷售總監

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SiC的成本來源

即使我們相信三安已經找出了克服了令人難以置信的困難的工藝方法,包括GaN晶體生長,切片,拋光,清潔,催化劑,表皮生長,離子植入,裝置製造,和整個測試周期,總晶圓計數也沒有什麼意義。根據應用材料公司在新的克里沃爾夫斯皮德莫霍克谷的GaN晶圓廠的資料,成本12億美元,將他們的生產能力從每月不到5000晶圓到約15萬片6英寸晶圓當量的水平。

並且應用材料新的晶圓廠將是全球第一個生產200毫米SiC晶圓的工廠,而不是像三安150毫米晶圓。8‘’和6‘’分別與200毫米和150毫米直徑的晶圓互換使用。從6‘’轉換到8‘’將面積增加±70%。這是應用材料在其計算中所做的調整。此外,莫霍克谷工廠不僅生產器件,而且還生產外延材料。CreeWolfspeed將擁有超過6億美元的材料業務,Cree將未經加工的未加工的拋光和表觀晶圓銷售給英飛凌、ST微電子、On半導體等公司。CreeWolfspeed也將在同一時間段內擁有10億美元的裝置業務。鑑於最終裝置的收益率成本超過30%,我們可以將材料/裝置業務的規模調整為等效。

三安在湖南建造世界最昂貴的碳化矽製造基地,外媒質疑其能否成功

SiC業務的全球玩家

不管這些SiC晶圓廠的數學和估計值如何,有一件事是清楚的,耗資25億美元的三安專案是克里·沃爾夫斯佩德在莫霍克谷的2倍多,但晶圓總產量還不到其一半。三安工廠有許多與產能爬坡相關的嚴重技術挑戰,也許他們正在揮手離開。工具鏈和工藝在碳化矽中是非常習慣地出問題,西方公司甚至都有問題,更不用說三安希望一次全部完善成功。此外,鑑於該專案的25億美元成本,他們的生產產能數字幾乎是荒謬的。

三安專案會成為另一個以政府舉措、補貼和不切實際期望為目標但是最終點燃並燒光資金的案例嗎?武漢宏信半導體制造(HSMC)的故事還會重演嗎?讓我們拭目以待。

(參考來源:semianalysis)

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