Intel 200億美元投資2座晶片工廠:2024年首發20A埃米工藝

3月份Intel新任CEO帕特·基辛格宣佈了全新的IDM 2。0戰略,其中主要內容就是投資200億美元在美國建設2座新的晶圓廠。9月24日,基辛格駕駛挖掘機正式給新專案奠基,2024年這些工廠要首發量產20A埃米工藝。

美國亞利桑那州是Intel晶圓生產的重鎮,算上這次的投資,Intel公司40多年來已經在該地區投資了500億美元,CEO基辛格表示這次的投資代表著Intel致力於在該領域長期投資,幫助美國半導體重回領先地位。

該投資計劃預計將創造3000多個高技術、高薪酬的長期工作崗位,以及3000多個建築就業崗位和大約15000個當地長期工作崗位。

Intel公佈了這裡兩座晶圓廠的細節,分別會命名為Fab 52、Fab 62,並首次透露這些工廠將會在2024年量產20A工藝——這與之前預期的不同,原本以為會量產的是Intel 4這樣的下兩代工藝。

Intel 200億美元投資2座晶片工廠:2024年首發20A埃米工藝

Intel 20A工藝是今年7月份才公佈的,是Intel 10/7/4/3工藝之後的升級版,而且首次進入後奈米時代,直接用了埃米(A代表的是Ångstrom,1奈米等於10埃米),技術細節美公佈,但字面意義上看20A差不多就是2nm工藝的級別,符合3nm之後的摩爾定律升級規則。

20A工藝除了EUV光刻工藝之外,還會有2大黑科技——R ibbonFET及PowerVia。

根據Intel所說,RibbonFET是Intel對Gate All Around電晶體的實現,它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新電晶體架構。該技術加快了電晶體開關速度,同時實現與多鰭結構相同的驅動電流,但佔用的空間更小。

PowerVia是Intel獨有的、業界首個背面電能傳輸網路,透過消除晶圓正面供電佈線需求來最佳化訊號傳輸。

按照規劃,20A工藝預計會在2024年量產,屆時臺積電的2nm工藝應該也會問世,Intel的工藝再次回到最先進水平。

Intel 200億美元投資2座晶片工廠:2024年首發20A埃米工藝

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