書籍:《炬豐科技-半導體工藝》
文章:Micro-LED 顯示器量化生產關鍵技術
編號:JFKJ-21-303
作者:炬豐科技
摘 要
為快速推動 Micro-LED 顯示器產業化發展,結合 Micro-LED 微顯示器的效能特點、製造 工藝流程和產品應用優勢,重點分析了基於矽、藍寶石襯底的 GaN 外延生長技術、晶片側壁原子 層沉積技術、晶片轉移和晶圓級鍵合等技術。
關鍵詞: 新型平板顯示;微縮化發光二極體;有機化合物化學氣相沉積;原子層澱積;晶圓鍵合
材料製造工藝與裝置
顯示器產業技術正朝著高解析度、高亮度、低功耗和柔性化快速發展,如圖 1 所示,新型平板顯 示技術主要包括液晶顯示 (LCD)、等離子顯示、有機發光二極體顯示(OLED)和微縮化發光二極體顯示(Micro-LED)等幾類。
Micro-LED 微顯示器製造工藝流程
Micro-LED 微顯示器生產製造主要包括襯底外延生長、晶片製造、電路互聯鍵合、效能檢測等環節,各環節都有相應的材料、工藝、裝置等關鍵技術要求。Micro-LED 微顯示器基本工藝流程。
Micro-LED 晶片製造 略
Micro-LED 晶片巨量轉移 略
GaN 外延生長工藝技術
Micro-LED 晶片尺寸是傳統 LED 晶片的幾十分之一、甚至更小,無法再使用傳統的 LED 晶片 挑揀與分選技術。
晶片轉移技術
晶片轉移主要是透過剝離 LED 襯底,以臨時襯底承載 LED 外延薄膜層,再利用感應耦合等離子蝕刻,形成微米等級的 Micro-LED 外延薄膜結構;或者先利用感應耦合等離子蝕刻。