半絕緣SiC襯底全球第三,山東天嶽科創板IPO獲受理!

5月31日,山東天嶽先進科技股份有限公司科創板IPO正式受理!其本次公開發行不超過約4297萬股,且發行完成後公開發行股份數佔發行後總股數的比例不低於10%。

一、擬募資20億元,用於上海臨港SiC襯底專案

根據招股書顯示,山東天嶽本次擬募資20億元在上海臨港新片區建設SiC襯底生產基地,滿足不斷擴大的碳化矽半導體襯底材料的需求。

該專案建設期為6年,自2020年10月開始前期準備,計劃於2022年試生產,預計2026年100%達產。

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二、公司營收、主營業務毛利率持續增長,但尚未盈利

據招股書顯示,報告期內山東天嶽營收持續增長,2020年達到約4。25億元,同比增長超過58%,其中半絕緣型SiC襯底營收約3。47億元,佔總營收81。62%,同比增長超過89%。而隨著公司業務的發展及募集資金投資專案的實施,其收入規模將會持續擴張。

淨利潤方面,報告期各年度公司歸屬於母公司股東的淨利潤分別為-4213。96萬元、-20068。36萬元、-64161。32萬元。公司收入逐年增長,淨利潤卻逐年下降,主要系2019年和2020年實施股權激勵所致,另外則是由於SiC材料的持續研發需要大量資金投入。

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毛利率方面,報告期內公司綜合毛利率分別為 25。57%、37。68%和 35。28%,其中主營業務SiC襯底毛利率分別為8。45%、26。62%和34。94%,呈上升趨勢,主要系產品單價提高的同時單位成本降低。另外,與同行業上市公司相比,山東天嶽2020年度主營業務毛利率已經和境外可比公司相當。

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山東天嶽核心業務半絕緣SiC襯底的毛利率具體情況如下:

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三、2020年SiC襯底總產量約4。75萬片

報告期內,山東天嶽的SiC襯底總產量(半絕緣型+導電型,各尺寸產量簡單相加數)分別為1。1463萬片、2。0159萬片和4。7538萬片。

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四、半絕緣型SiC襯底市佔率全球第三,批次供應給領先通訊企業;導電型SiC襯底已中標國家電網的採購計劃

半絕緣型SiC襯底領域,山東天嶽產品電阻率已實現108Ω·cm以上,電學效能達到較高水平,已批次且穩定地供應給通訊行業領先企業,用於其新一代資訊通訊射頻器件的製造。據Yole統計,2019/2020年山東天嶽已躋身半絕緣型SiC襯底市場世界前三。

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導電型SiC襯底領域,山東天嶽的6英寸導電型產品已送樣至多家國內外知名客戶,並中標國家電網的採購計劃。產品的規模化銷售,代表著其科技成果已與產業實現深度融合。

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五、前五大客戶營收佔比超89%

客戶方面,公司前五大客戶的收入佔營業收入的比例分別為80。15%、82。94%和89。45%,客戶集中度較高。其原因在於半絕緣型產品主要用於新一代資訊通訊和微波射頻等領域,相關領域集中度相對較高,規模化企業較少,且對襯底的需求較大,而由於公司產能有限,產品優先滿足現有客戶的需求,導致客戶集中度較高。

客戶A:於2010年建立合作關係,用於無線電探測行業,服務於航天航空、導航定位領域。

客戶B:於2014年建立合作關係,用於氮化鎵射頻。

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文稿來源:化合物半導體市場,Rany

圖片來源:拍信網

碳化矽和氮化鎵的同與不同

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