在化合物半導體表面上,發現“不穩定性”現象,又是一件大喜事!
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在化合物半導體表面上,發現“不穩定性”現象,又是一件大喜事!

發表在領先期刊《物理評論快報》上的這項新發現,揭示了一種常用的化合物半導體材料(砷化鎵(GaAs))的表面並不像之前認為的那樣穩定,使用卡迪夫大學物理和天文學學院和化合物半導體研究所的最先進裝置:研究小組發現了砷化鎵原子結構中有出現然後消失...

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