14nm對決7nm:中芯國際比臺積電差在哪裡?
FinFET的命名是根據電晶體的形狀與魚鰭的相似性,中芯國際的14nm工藝就使用了這種結構...
More Detail這就相當於又給了三星機會,只要三星提前臺積電實現3nm,並且採用的是GAAFET技術,那麼就會再次領先臺積電,在當前晶片產能這麼緊張的情況下,完全有可能從臺積電那搶到訂單...
More Detail金氧半導體場效應電晶體(MOSFET,即微處理器中使用的電晶體)自1959年誕生以來,其形狀和材料都發生了變化,但基本結構(柵極疊層、溝道區域、源極和漏極)一直保持不變...
More Detail因為三星基於GAA技術的3nm製程不同於臺積電FinFET架構的3nm製程,所以三星需要新的設計和認證工具,故而採用了新思科技的Fusion Design Platform...
More Detail