晶圓成本僅為碳化矽10%,四代半導體材料距離商業落地還有多遠?|36氪...

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超低成本的材料技術或可幫助第四代半導體搶灘登陸。

文|楊逍

封面來源|視覺中國

隨著2018年特斯拉採用碳化矽(SiC)、2020年小米在快充上使用氮化鎵開始,第三代半導體經過三四十年的發展終於獲得市場認可迎來發展機遇。此後,第三代半導體在新能源車、消費電子等領域快速發展開來,並逐漸從熱門場景向更多拓展場景探索。

在第三代半導體發展得如火如荼之際,氧化鎵、氮化鋁、金剛石等第四代半導體材料也開始受到關注。其中,氧化鎵( Ga2O3 )是被國際普遍關注並認可已開啟產業化的第四代半導體材料。

氧化鎵( Ga2O3 ) 在耐壓、電流、功率、損耗等維度都有其優勢,此前被用於光電領域的應用,直到2012年開始,業內對它更大的期待變成用於功率器件,全球80%的研究單位都在朝著該方向發展。

日本在氧化鎵研究上是最前沿的。2012年日本報道了第一顆氧化鎵功率器件,2015年推出了高質量氧化鎵單晶襯底、2016年推出了同質外延片,此後,基於氧化鎵材料的器件研究成果開始爆發式出現。

我國氧化鎵的研究則更集中於科研領域,產業化程序剛剛起步,但是進展飛速,今年我國科技部將氧化鎵列入“十四五重點研發計劃”,讓第四代半導體獲得更廣泛關注。

一個材料產業的發展,需要材料、器件、模組、應用等多個環節形成完整迴圈。目前,第三代半導體材料已發展出完整的產業鏈,且向著成本不斷降低的方向發展;而氧化鎵則仍處於一個研究繼續深入,產業化初步開始的階段。

氧化鎵想要獲得產業發展,需要具備至少3個要素:一是材料成本降低,足以用於產業;二是襯底、外延、器件產業鏈發展完善;三是,出現示範性應用。

此前,氧化鎵襯底主要採用導模法(EFG法)進行生產,由於EFG法需要在1800℃左右的高溫、含氧環境下進行晶體生長,對生長環境要求很高,需要耐高溫、耐氧,還不能汙染晶體等特性的材料做坩堝,綜合考慮效能和成本只有貴金屬銥適合盛裝氧化鎵熔體。但一方面銥價格昂貴,價格是黃金的三倍,6英寸裝置需要幾公斤的銥,相當於一大塊黃金,僅坩堝造價就超過600萬,從大規模生產角度很難擴充套件裝置數量,另一方面,銥只能依賴進口,給供應鏈帶來很大風險。

值得關注的是,我國的深圳進化半導體,日本東北大學聯合C&A公司都報道了無銥工藝,從關鍵材料端角度讓低成本氧化鎵成為可能,也推動整個產業鏈的發展程序。

本文,我們邀請了在專注於氧化鎵材料的進化半導體公司CEO許照原,共同探討第四代化合物半導體氧化鎵的發展情況,正文將回答幾個問題:

什麼是氧化鎵

氧化鎵材料研究走到哪一步

距離產業鏈成熟還有多遠

晶圓成本僅為碳化矽10%,四代半導體材料距離商業落地還有多遠?|36氪...

什麼是氧化鎵?

36氪:第四代半導體材料氧化鎵相關研究最早出現於什麼時候?能否簡單介紹一下什麼是第四代半導體?

許照原:其實我們一般不提第四代這個叫法,而是超禁帶半導體材料,這些材料相對冷門,我時常將它介紹成跟氮化鎵、碳化矽競爭並存的一種材料,不過有越來越多的人喜歡叫“第四代”,確實比較醒目,容易引起關注。超禁帶半導體分兩個方向,一是超窄禁帶,禁頻寬度(指被束縛的價電子產生本徵激發所需要的最小能量)在零點幾電子伏特(eV),比超窄禁帶更窄的材料便稱為導體;二是超寬禁帶,如禁頻寬度在4。9eV的氧化鎵,以及更高的金剛石、氮化鋁等,當禁頻寬度超過6。2eV,基本上就是絕緣體。目前來看,超禁帶半導體將會是最後一代半導體,尤其是金剛石很早就被稱為“終極半導體”。

日本的研究是產業化公司帶頭的,一開始就朝著主要向大尺寸、高品質、低成本等方向努力,所以率先做出產業化成果。2012年,日本資訊通訊研究機構(NICT)報道了全球第一個氧化鎵功率器件,是一顆場效應電晶體(MESFET),此後不久又報道了肖特基勢壘二極體(SBD),就像2001年英飛凌發行首個碳化矽二極體一樣,在全世界範圍內引起關注,由此給業界打開了氧化鎵新應用的大門。2015年以後,日本NCT公司陸續推出高品質的氧化鎵襯底和同質外延片,為科研院所提供了基礎研究材料,直接結果是,從2015年開始,科研單位關於氧化鎵的論文和報道開始爆發式增長,國際上開始了氧化鎵領域的瘋狂競賽。

國內對氧化鎵研究其實也開始得非常早,2000年左右,我國就有單位開展相關研究了。近年來,科研院所在努力深入地探究氧化鎵材料的各種特性,需要更豐富的材料來開展研究,而產業界規模化應用則需要大尺寸材料產品來提高效率並降低成本,所以氧化鎵材料的國產化、低成本化呼聲越來越高。一直以來我國的研究進展集中在科研機構,產業化程序比日本要緩慢,但是比美國要快得多。

到2019年,在中國半導體事業奠基人黃昆先生誕辰一百週年紀念日上,幾十位院士、數百位專家共同定義了超禁帶半導體,也稱為第四代半導體,並以大規模實現產業應用為判定標準。目前,第三代半導體其實是指寬禁帶半導體,包括碳化矽(SIC)和氮化鎵(GaN)這兩種禁頻寬度超過3eV的材料,剛剛開始大規模應用。而第四代半導體中的超寬禁帶指的是氧化鎵(Ga2O3)、金剛石(Diamond) 、氮化鋁(AlN) ,這些材料中只有氧化鎵已經實現大尺寸突破(6英寸),預計未來3-5年可以實現大規模應用,由日本引領風潮。

36氪:第三代半導體材料已經開始邁向降低成本的階段,而氧化鎵產業鏈並不成熟,二者相比,氧化鎵有何材料特性和優勢?

市場對第三代半導體寄予厚望,是因為他們效能較好,耐高壓,可用於高功率場景,且功率損耗低,具備節能優勢。氧化鎵成本低、節能的優點更為突出。

碳化矽相比矽基器件,其功率損耗是矽基的七分之一,節能效果很好,而氧化鎵功率損耗是碳化矽的七分之一,也就是矽基器件的1/49,即2%,可以說是超大幅度節能;碳化矽常被用作功率器件,在新能源汽車上發揮節電效果,當散熱較小時,可以最佳化散熱系統,變得輕便而便宜;目前市場常用的有銅、金銀等貴金屬,而更好一些的材料,如石墨烯、氮化鋁、金剛石等,散熱效果更好,具備最佳化散熱系統潛力;

從生長角度看,氧化鎵成本很低,是唯一一個可以用熔體法生長的寬禁帶半導體材料,其6寸襯底成本三五年內就可以降到1000-1500人民幣,大規模生產後可以降到300元,而同樣尺寸的碳化矽襯底成本大概在4000-5000元,售價超過7000元,這中間有一個巨大的成本差。

氧化鎵生成晶圓襯底的速度很快,氧化鎵可以採用熔體法,有些類似把筷子插進蜂蜜,再把筷子拽出來,這就已經形成了一單晶了,一個小時生長2釐米,是其他材料長速的近100倍。而在透過類似雪先融化成水、再結成冰的熔體法生成的晶體質量非常好,而氣體分子沉積成晶體的過程是很慢的,品質也很難提高。

36氪:氧化鎵材料可以被用於什麼產品?

許照原:半導體材料的禁帶越寬,需要的啟用能越大,才能將電子從一個束縛的電子變成自由電子,它對波長比較長的光吸收量很少,氧化鎵響應波長250~300nm,因此可以用於探測日盲紫外光,目前這個方向受到科研人員的廣泛肯定。不過我們團隊還是更熟悉功率應用,光電應用就期待其他團隊來努力了。

日盲紫外波段的光線無法透過大氣層,會被大氣層直接吸收。一旦在大氣層中探測到這種光線,那麼它要麼來源於閃電,要麼來源於導彈,要麼來源於戰鬥機,可以用該材料當作軍用光線探測器。此外,在電站、加油站等場景,故障早期出現電暈放電情況時也會發出這種紫外的光,如果狀況繼續惡化的,它就開始發熱並變成紅外的光,相當於可以用氧化鎵防患於未然,不過能用做這種探測的材料還蠻多的,比如氮化鋁、碳化矽,氧化鎵在這個應用可能還需要進一步證明它的不可取代性,不像功率領域這麼簡單明瞭。

業界對氧化鎵的的開發更多還是在功率器件上,基本上80%的研究單位都在朝著功率器件的方向發展。

36氪:氧化鎵具備什麼材料特性,讓它具備用於功率器件的潛力?

許照原:市場對於功率更高、損耗更低、成本更低、效能更好的器件的追求是永無止盡的。

功率半導體最看重的是擊穿場強、導通電阻、遷移率、介電常數等引數,禁頻寬度更寬的材料,天然具有更耐高溫、耐輻射、耐高壓、導通電阻低的特點。氧化鎵的禁頻寬度為4。9eV,而氮化鎵為3。39eV,碳化矽為3。2eV,矽為1。1eV;在耐壓能力上,氧化鎵、氮化鎵、碳化矽、矽的擊穿場分別為8、3。3、2。5、0。3MV/cm;在評估材料特性的巴利加優值BFOM上,氧化鎵、氮化鎵、碳化矽、矽分別為3440、536、344、1,數值越大,導通特性就越好;不過在散熱率上,氧化鎵的熱導率僅0。27w/cm·k,要低於氮化鎵(2。1 w/cm·k)、碳化矽(2。7 w/cm·k)、矽(1。2 w/cm·k),現在工業界透過封裝已經搞定散熱,效果很好,所以現在基本上行里人也沒有人再提熱導率的事兒了。

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氧化鎵材料研究走到哪一步?

36氪:目前全球氧化鎵材料研究走到了哪個進度?

許照原:這個材料特別難,直到現在,全球僅日本實現了量產。因為這個材料熔點高,1800度,還需要有氧環境,單獨實現某一個還好,比如高溫,碳化矽需要2300度高溫,也能很好實現,但是有氧就不好辦了,整個技術體系都要更換,裝置要改,熱場要改,保溫材料,加熱材料,坩堝材料,全都要換,重新摸索。那研發這個材料就需要很強的裝置能力,也需要長晶基礎,熟悉各種長晶工藝,再用極大的耐心去實驗。

日本將氧化鎵的襯底、外延、器件全都研究了一遍,並且已經實現了6英寸襯底和6英寸同質外延,這什麼意思呢,就是不到十年的時間,已經追上了碳化矽四十年的進度,這就是熔體法帶來的好處。他們很早就驗證出這個材料在功率領域很好用,此後更多的人覺得這個材料挺好的,開始大規模採購日本的材料,一起在器件端探索,開發出新的更好規格的器件。目前,日本有兩家氧化鎵公司,都是從材料做到器件的IDM企業,一家公司融資了11輪,但未向市場售賣材料和器件;另一家日本公司NCT在全球市場佔有率接近100%,供給了市面上幾乎所有的氧化鎵材料,他們用的是導模法,也就是用銥的,未來幾年很快就要被淘汰掉,所以我猜他們肯定也在謀求新技術路線。他們的外延是做得最好的,領先我國很多。

在一些特定領域裡,我們看到的報道是說日本已經與客戶完成了初步驗證,效果很好,計劃從小規模實驗準備轉入量產階段,預計在2023年量產。

現在大家都只知道他們用在工業,但是不知道到底在哪個場景用的,也沒辦法去推算特定的規格來進行同步定製的開發。只有等到它真正批次應用之後,我們才能看到它還有這樣的市場,再去追隨跟進了。

36氪:化合物半導體研發有什麼研究難點?

許照原:材料研發本身就很難。化合物半導體涉及到物理、化學、材料學,器件端模擬等各個領域,且只能透過實驗研究,需要大量經驗和積累。而新材料沒有現成裝置,沒有合適的研發環境,要重新研發裝備,建設研發環境,從零幹起,難度非常大,相當於為了做一份僅知道物理特性的食物,要新建廚房,把水電氣做好,保證能用還安全,再琢磨用什麼方法才能把菜做出來,再根據這個方法自行開發配套的廚具,實際上到最後的長晶工藝開發環節已經是最簡單的了。這裡面還涉及各種材料的選擇、搭配,需要對不同材料在各種溫度下的變化了如指掌,才可以更好地生長。

全球科技巨頭在國內建了很多的晶片廠,但從不建材料廠,因為材料端的內容非常核心,且很難透過專利保護,它類似某種炒菜手法,國外廠商不會把配方、火候等要素放到別國。目前,全世界在材料端做得最好的公司在日本。

有些材料研發起步相對容易,像寬禁帶材料中的金剛石,可以透過模仿它在大自然中的形成條件,去摸索生成方法,但氧化鎵在自然界中並不存在,也就無從模仿,只能像鍊金術一樣摸索。

不過,它的產業化就相對簡單。因為作為寬禁帶材料,氧化鎵的晶片製造過程抗干擾能力很強,可以用GaN的現成晶片產線就可以製造氧化鎵器件。實際上,國際上幾乎所有的研發單位都是有GaN基礎,從GaN轉過來的,不用新建實驗環境,直接就在之前的裝置上就能做氧化鎵開發。看報道,最近英國一個高校買了一臺氧化鎵外延裝置,並預計未來幾個月就可以推出第一批氧化鎵器件,就是因為有現成的裝置可以用。

36氪:品質提升有哪些問題要解決?

許照原:一方面是材料端要提純,再一個就是生產條件的處理和控制,包括腔室的處理,在生產過程中載氣的控制等。高溫環境下,溫度梯度很難控制。且腔體中通常有多種材料,不同材料在高溫下也會釋放一些物質。如為保持溫度,腔體中還需要一些保溫材料,這些材料在高溫下也會發生變化,難以控制在一個較好狀態,因此材料熔化容易,製造單晶晶體就難;在腔體中形成底下熱、上面稍冷、中間不冷不熱的臨界狀態是真的很難。

36氪:如何評價氧化鎵材料的質量?

許照原:氧化鎵材料有幾個特定的評估標準。一是透過X光檢測XRD測晶體質量,資料越小品質越高;其次看是不是完整單晶;三是缺陷密度,有條件可以測下腐蝕坑;我們前期對自己的材料和國外的材料做了大量的分析測試,再結合長晶工藝,每一個技術條件的變化會產生什麼樣的結果,我們有了很細緻的研究,因此我們進化半導體才能進展如此迅速,可以說在材料性質、缺陷抑制、工藝最佳化等方面的認知上,我們是國內領先的。

36氪:氧化鎵器件類公司在發展過程中有何難點?

許照原:器件端現在其實最稀缺的資源是產線,現在國內還沒有任何一條供器件公司使用的氧化鎵器件工藝線。我們公司是做材料的,裝置能自己研發,成本很低,就幾十萬,但器件端的生產裝置,很成熟的一些裝置全套下來可能要五千萬甚至要上億。

36氪:氧化鎵器件公司可以利用現有矽產線進行生產嗎?

許照原:它可以利用現有的功率半導體產線,比如說矽基IGBT、做LED的氮化鎵、做碳化矽的產線都可以改,氧化鎵是特別穩定的一種材料,它很少會受到其他材料的干擾。它只在生長中容易受到干擾,在應用中反而還好一些。

產線改造難度不大,只要工廠願意改。目前,我們主要找一些類似於半研發機構的合作伙伴,它不依靠於這條產線賺錢,主要用這條產線摸索工藝,做一些開發,它有意願開闢一些新方向,我們就告訴他怎麼改產線,需要哪些環節,用什麼樣的引數,我的工藝都可以實現。後面,我們再把產品給他,他們可以開放給全部有興趣做氧化鎵器件的團隊,我們也有器件研發人員,大家可以一起去做開發,把氧化鎵產業鏈越做越完善。

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距離產業鏈成熟還有多遠?

36氪:國內研究氧化鎵的科研院所和企業多嗎?

許照原:國內半導體很多領域技術儲備都是有的,但是產業化做得不夠好,化合物半導體產品幾乎全部是卡脖子領域,且產業化很難,需要具備資深背景的業內專家、大企業技術帶頭人才能更好實現產業化。

我們目前看到的情況是,進行氧化鎵研究的高校和科研院所還挺多的,不過做襯底的研究團隊相對要少,創業企業就是非常少,因為做材料是投入大、週期長、門檻高的環節,幾乎沒有技術積累的企業,是很難做出成果的,一般是需要國家在前期進行課題經費支援。國內氧化鎵材料以中電科四十六所、山東大學、深圳進化半導體、中科院上海光機所、北京鎵族科技、杭州富加鎵業等單位為主力。

36氪:氧化鎵有襯底、外延、器件三個產品種類,企業一般是隻研發其中一種,還是都研發?

許照原:理論上只研發某一個環節就夠了,以碳化矽領域為例,做襯底的有山東天嶽、天科合達、河北同光、山西爍科晶體等,他們基本上只做襯底也就夠了;外延端比如說瀚天天成、東莞天域等等,只做外延;器件端的就是泰科天潤、綠能芯創這些公司,甚至還有一類的是器件製造公司專門給其他人代工叫Foundry,下面還有叫器件設計公司Fabless,自己不建廠,別人有工廠後,我開發的器件讓他生產。

化合物半導體行業規律是,合-分-合。剛開始新材料出現,沒人驗證好壞,只能自己從襯底到外延到器件都幹了,驗證材料是好材料,然後出現每個環節的優勢團隊,行業越成熟,環節就會越細分、專業。但是最後又會逐漸整合,因為化合物半導體中都是know how(技術機密)為主,不像積體電路以IP(智慧財產權)為主,所以為了保護技術機密,保證產業鏈供應,優勢企業就開始併購,把各個環節補全,像日本羅姆,歐洲的意法半導體,都是典型代表。現在第三代半導體仍處於野蠻生長狀態,有的人我能幹的全乾了比如Cree(現在叫Wolfspeed),有的人只幹一個環節也能生存得很好,不需要全產業鏈都幹。

但現在氧化鎵還沒有分化出來,一個公司必須從頭幹到尾。新材料企業在發展上會有這樣的困境,這對團隊的要求很高,得有研發能力,有足夠的資源整合能力,還要有足夠的錢,扛到這個材料火起來。

36氪:到目前為止,大多數行業人士的關注點還在第三代半導體上,您認為第四代半導體何時會獲得關注?

許照原:對一個產業鏈來說,必須具備全部環節,才能有好的協同。如果要真正地從應用、需求端把整個產業鏈帶起來,就要有好的器件,有示範性應用,如特斯拉在Model 3上用碳化矽,小米在快充上用氮化鎵。如果有一天氧化鎵做出來很好的規格,你可能發現在比如說有沒有哪個領域,用氧化鎵便宜、效能好、沒有安全隱患,那第四代半導體的時代就到來了。

示範性應用起來後,大家覺得市場端沒問題,就會開始批次生產。而批次生產的一個基礎在於,供應鏈上游要供得上。器件製造的供應鏈是外延,外延的供應鏈是襯底,我們儘量從材料出發,團結更多的產業鏈公司和單位,共同促進氧化鎵產業化。

我們預計明年會出現一個真正殺手級的應用,最早可能出現在日本。我們認為,氧化鎵的產業鏈馬上要成熟了,有市場的未來和前景。

36氪:在您看來,氧化鎵最早會在哪個領域落地?在此之前整個產業需要具備哪些條件?

許照原:我們認為最早可能會出現在快充和工業電源上。它的市場門檻比較低,不像汽車,可能需要拿很多資質。這些領域(快充和工業電源)屬於你的效能ok、成本夠低,就能用,且他們對可靠性有需求,而氧化鎵的可靠性天然非常好。

汽車會是它未來的爆發點,但不會是率先應用。其實和碳化矽一樣,碳化矽最早是用在光伏逆變器、工業電源,直到特斯拉用到車上,它才爆起來。所以行裡話叫,“碳化矽摸著石頭過河,氧化鎵摸著碳化矽過河”,碳化矽發展了40年,氧化鎵用了不到10年的工夫就已經發展到了接近於碳化矽發展35年左右的進度。

36氪:第四代半導體材料和第三代存在合作可能嗎?

許照原:會合作的。氧化鎵和GaN的晶格失配很小,可以在氮化鎵上長高品質的氧化鎵外延層,有很多團隊都在做這方面工作,也報道了非常漂亮的成果,只要氧化鎵成本降下來,有成為繼Si和藍寶石以後的第三種平臺型襯底材料的潛力,相當於可以藉著氮化鎵發展,這是一個可以合作的點,但會和碳化矽有一定的競爭,都在力爭挑戰矽基器件的傳統地位。

36氪:現在,第四代半導體氧化鎵產業有何發展突破嗎?

許照原:氧化鎵的材料製備剛剛實現突破。如果我們把做器件、做應用比作炒飯,那前提是你得有米,之前這個米想把它種出來都非常困難,也就沒辦法大規模應用。目前一個比較大的突破是,我們找到了低成本製造氧化鎵材料的可能。

目前,市面上主流的能製備單晶材料的方法有導模法(EFG法)、提拉法、焰熔法、浮區法等,其中,EFG法是當前唯一能製造大尺寸氧化鎵襯底的工藝,已經有單位能根據該方法制造出6英寸的樣品。幾乎供應了全球100%的氧化鎵襯底的日本NCT公司,採用的便是EFG法。

不過,EFG法需要在接近1800℃的高溫、含氧環境下進行晶體生長,對盛放熔體的坩堝要求很高,需要耐高溫、耐氧,還不能汙染晶體等特性的材料,目前效能和成本比較合適的只有貴金屬銥,但銥非常昂貴。

業內一直期待無銥工藝的出現。我們2021年06月就在業內介紹了無銥法制備氧化鎵方法。2022年04月,日本東北大學聯合C&A公司也報道了無銥工藝的2英寸襯底,看介紹跟我們多種無銥技術路線中的一條異曲同工,能把價格做到跟矽和藍寶石接近的價格。總之這種技術意味著,低成本氧化鎵進入市場已經具備可能。

36氪:那進化半導體的技術積累是什麼?

許照原 :我們的技術團隊是非常資深,有一位核心成員是化合物半導體材料專家,掌握很多技術,填補了多個半導體材料的國內空白,氧化鎵產業化領域我覺得他應該是最權威的吧。他從2014年就開始搞氧化鎵,2016年國內最早做出來2寸氧化鎵,2018年國內最早做出4寸氧化鎵,也是國內唯一做出來4寸的,到目前為止還是國內的記錄保持者,在各種文獻中看提到我國做出4英寸氧化鎵材料的,那其實就是他,只是不提他名字而已。2017年他牽頭撰寫了國內氧化鎵唯一的行業標準,所以他在行業內還是很權威的。

他有這麼多年的刻苦鑽研,上千次實驗,對氧化鎵裡裡外外都琢磨通透了,才能開發出我們創新的無銥工藝,現在我們已經做出來了5寸材料,正在向更大尺寸研發。想有創新,就必須要經過這麼多種材料,這麼多工藝,這麼多次實驗的折磨才能突破,做材料沒有抖機靈成功的,沒有晶體經驗就說自己能做的,要麼是騙子,要麼是小偷,要知道,上千次實驗在晶體領域是很驚人的,因為每次升溫降溫至少要一兩天,幾乎每一兩天就要通宵,做晶體材料非常辛苦。

36氪:進化半導體位於氧化鎵產業鏈的哪一環?

許照原 :我們現在最擅長的是做材料。在整個化合物半導體產業鏈裡,最稀缺的是材料——價值最高,壁壘最高。材料是基礎科學,它不是一種能模仿來的技術環節,必須對它的機理有足夠的瞭解,有足夠的實驗形成know how,然後去做出來。

此外,化合物產品成本上,有一半來自襯底,20%~30%來源於外延,剩下是晶圓的製造和封裝測試等環節。晶圓製造投資大且難,但相應帶來的價值卻沒有那麼高。

不過 ,目前由於整個產業鏈尚未成熟,也並未出現一個示範性的應用,大部分公司還處於將信將疑或觀望態度,不會主動試產器件,所以我們現在是前期也在聯合合作伙伴努力打通襯底、外延、器件三個環節,讓大家看到這確實是好東西,等下游市場起來後,我們再繼續努力降低材料價格,提供充足的高品質基礎材料,讓願意去做快充的做快充,做新能源車逆變器的去做逆變器,做光伏的的去做光伏。

36氪:目前進化半導體的氧化鎵材料研究走到了哪一步?

許照原 :公司成立不到一年,我們已經研發了6寸的無銥法長晶裝置,應該也是國內首臺6英寸氧化鎵專用裝置。我們正在開發6英寸的氧化鎵材料,今年應該可以實現2英寸材料的小批次供應。目前階段,我們是國內新記錄的創造者和保持者(5英寸),我們也努力研發,加強技術優勢。等我們做出來6寸了,也會給業界更大的信心。

我們已經跟客戶溝通了所需產品規格,計劃第一步是先滿足客戶需求,實現送樣和小批次供應,同時繼續做更大尺寸材料的研發,為大規模產業應用做好準備,商務和研發兩條腿走路。

36氪:按目前的研發進度看,公司材料何時能在產品中真正試用,離成品階段還有多久?

許照原 :我們研發還是比較順利的,今年下半年就會開始供應襯底,從小尺寸開始賣。現在下游需要的用小尺寸材料做開發,而非用大尺寸做量產,我們要適應客戶的需求。

我們已經拿到了多家客戶的產品規格要求,7月份就可以開始送樣,跟客戶合作改進產品,等規格穩定後,就開始大規模量產。我們為大家供給充足的原材料。他們向日本公司購買會有貨期長、價格貴的缺點;我們一方面產品價格更便宜,二是可以配合客戶需求做引數調整,有了客戶第一手進度資訊,我們也可以很好地做產能規劃,提前進行相關的擴產準備。

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