IGBT器件靜態引數測試需要哪些儀器?
下面普賽斯為您介紹IGBT器件靜態引數測試中用到的主要儀表:一、E300高電壓源測單元E系列高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高(3000V)、能輸出及測量微弱電流訊號(1nA)的特點...
More Detail下面普賽斯為您介紹IGBT器件靜態引數測試中用到的主要儀表:一、E300高電壓源測單元E系列高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高(3000V)、能輸出及測量微弱電流訊號(1nA)的特點...
More Detail1,力芯微無錫力芯微電子股份有限公司主營業務為模擬晶片的研發及銷售,主要透過高效能、高可靠性的電源管理晶片為客戶提供高效的電源管理方案,並積極研發和推廣智慧組網延時管理單元、訊號鏈晶片等其他類別產品...
More DetailCree公司SiC MOSFET研製結果SiC功率MOSFET作為單極型器件,導通狀態下透過多數載流子導電,當擊穿電壓達到10 kV甚至更高時,高導通電阻成為限制其應用的重要問題...
More Detail在IGBT模組封裝之前,先將IGBT晶片和二極體晶片用焊盤焊接在DBC基板上,然後將DBC晶片與晶片結合,再進行二次焊接...
More Detail接過採購員遞上來的“導熱矽脂”,老趙也沒來得及細看就使用了,安裝、除錯完成好,老趙可算鬆了一口氣,萬萬沒想到可怕的事情還在後面...
More Detail不過另一方面看,半導體行業作為自2018年以來大力發展的戰略行業,目前國家給予了大量的支援,從資金、稅收優惠再到上市便利,如今我國正堅定往半導體強國而奮鬥,比亞迪半導體作為IGBT(絕緣柵雙極型電晶體)領域的重要玩家,其打破了國際巨頭英飛凌...
More Detail早在2009年,比亞迪的IGBT晶片就研製成功,讓中國實現從無到有的突破,直接打破了國外技術壟斷,之後,比亞迪又推出了1200V級別的IGBT晶片,這款晶片的晶圓厚度只有120微米,厚度可以用頭髮絲來形容,製造工藝領先世界,而中國國內能夠生...
More Detail超半數收入依賴比亞迪 淨利潤下滑背後現大手筆股權激勵 比亞迪半導體招股書顯示,功率半導體的營收在比亞迪半導體總營收中所佔比例最高,車規級IGBT晶片是比亞迪半導體的核心產品...
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