成功取得突破!中芯國際傳來訊息,臺積電不再是唯一的選擇
光刻機技術但我們知道,目前光刻機技術已經突破了90 nm,所以美國再想在這一領域取得突破就只能是想辦法去實現更低功率的光刻了...
More Detail光刻機技術但我們知道,目前光刻機技術已經突破了90 nm,所以美國再想在這一領域取得突破就只能是想辦法去實現更低功率的光刻了...
More DetailInGaAs 感測器的帶隙能量通常低於矽,這意味著它們能夠檢測更長的波長,例如短波紅外 (SWIR) 區域 (900-1700 nm)...
More Detail他們進一步在有機高分子半導體側鏈中引入了兩種不同結構的偶氮苯基團,即吡唑偶氮苯(pAzo)和tetra-ortho-methoxy-substituted azobenzene (mAzo),設計合成了有機高分子半導體POMPYA,成功實現...
More Detail不同於傳統Si材料技術路線,“鎵敏光電”此次釋出的VUV和EUV探測器晶片產品就是基於新型寬禁帶SiC半導體材料,不僅暗電流低、量子效率高,而且根據已有的可靠性測試資料,未出現Si基探測器在高劑量深紫外光輻照下的效能退化問題...
More Detail