IBM+三星:新工藝突破1nm節能85%
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IBM+三星:新工藝突破1nm節能85%

在加州舊金山舉辦的 IEDM 2021 國際電子元件會議中,IBM 與三星共同公佈了名為垂直傳輸場效應電晶體 (VTFET) 的晶片設計技術,該技術將電晶體以垂直方式堆疊,並且讓電流也改以垂直方式流通,藉此讓電晶體數量密度再次提高之外,更大...

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