IBM+三星:新工藝突破1nm節能85%

在加州舊金山舉辦的 IEDM 2021 國際電子元件會議中,IBM 與三星共同公佈了名為垂直傳輸場效應電晶體 (VTFET) 的晶片設計技術,該技術將電晶體以垂直方式堆疊,並且讓電流也改以垂直方式流通,藉此讓電晶體數量密度再次提高之外,更大幅提高電源使用效率,並且突破目前在 1nm 製程設計面臨瓶頸。

IBM+三星:新工藝突破1nm節能85%

相較傳統將電晶體以水平方式堆疊的設計,垂直傳輸場效應電晶體將能增加電晶體數量堆疊密度,並且讓運算速度提升兩倍,同時透過讓電流以垂直方式流通,也讓電力損耗降低 85%(效能和續航不能同時兼顧)。

IBM 和三星聲稱,該工藝有朝一日可能允許手機在一次充電的情況下使用一整個星期。他們說,這也可以使某些能源密集型的任務,包括加密工作,更加省電,從而減少對環境的影響。

IT之家瞭解到,目前 IBM 與三星尚未透露預計何時將垂直傳輸場效應電晶體設計應用在實際產品,但預期很快就會有進一步訊息。

不過,臺積電已經在今年 5 月宣佈與中國臺灣大學、麻省理工學院共同研究,透過鉍金屬特性突破 1nm 製程生產極限,讓製程技術下探至 1nm 以下。而英特爾日前也已經公佈其未來製程技術發展佈局,除了現有奈米 (nm) 等級製程設計,接下來也會開始佈局埃米 (Å) 等級製程技術,預計最快會在 2024 年進入 20A 製程技術。

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