半導體行業深度研究報告
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半導體行業深度研究報告

SiC有望顛覆汽車功率半導體未來與GaN同屬於寬禁帶材料的SiC同樣具有飽和電子漂移速度高、擊穿電場強度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強等特點,並且與GaN相比,SiC熱導率是GaN的三倍,並且能達到比GaN更高的崩潰電壓,因此在高溫...

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